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Por eso, el mercado de chips enfrenta una alta demanda, en un entorno marcado por la dinámica propia de la industria y por acuerdos comerciales que pueden influir en la capacidad de respuesta de los fabricantes a largo plazo. A esto se suma el crecimiento de las compañías enfocadas en inteligencia artificial, lo que plantea nuevos retos de disponibilidad.

En este escenario, Samsung anunció la firma de un Memorando de Entendimiento (MOU) con AMD para ampliar su colaboración estratégica en tecnologías de memoria y computación de inteligencia artificial de próxima generación.

La ceremonia de firma se llevó a cabo en el complejo de fabricación de chips más avanzado de Samsung en Pyeongtaek, Corea, con la participación de la Dra. Lisa Su, presidenta y CEO de AMD, y Young Hyun Jun, vicepresidente y CEO de Samsung Electronics.

Por su parte, la Dra. Lisa Su destacó que “impulsar la próxima generación de infraestructura de IA requiere una colaboración profunda en toda la industria. Estamos encantados de ampliar nuestro trabajo con Samsung, combinando su liderazgo en memoria avanzada con nuestras GPUs Instinct, CPUs EPYC y plataformas a escala de rack. La integración a lo largo de toda la pila de computación es esencial para acelerar la innovación en IA a gran escala.”

En virtud del acuerdo, ambas compañías alinearán el suministro de memoria HBM4 para el acelerador de IA de próxima generación de AMD, la GPU AMD Instinct™ MI455X, así como soluciones avanzadas de DRAM para las CPUs AMD EPYC™ de 6ª generación, con nombre en clave “Venice”. Estas tecnologías estarán orientadas a sistemas de IA que integran GPUs AMD Instinct, CPUs AMD EPYC y arquitecturas a escala de rack como la plataforma AMD Helios.

La colaboración también contempla el desarrollo conjunto de tecnologías avanzadas de memoria para cargas de trabajo de IA y centros de datos, en un contexto donde el ancho de banda y la eficiencia energética son factores determinantes para el rendimiento a nivel de sistema.

En este sentido, Samsung avanza con su memoria HBM4, desarrollada sobre su proceso DRAM de sexta generación de clase 10 nanómetros (nm) (1c) y un die lógico base de 4 nm. Esta tecnología alcanza velocidades de hasta 13 gigabits por segundo (Gbps) y un ancho de banda máximo de 3,3 terabytes por segundo (TB/s), posicionándose por encima de los estándares actuales de la industria.

Gracias a este rendimiento, junto con su confiabilidad y eficiencia energética, se espera que la GPU AMD Instinct MI455X se consolide como una solución clave para sistemas de alto desempeño enfocados en el entrenamiento e inferencia de modelos de inteligencia artificial. Asimismo, este componente será fundamental dentro de la arquitectura a escala de rack AMD Helios, diseñada para responder a las necesidades de escalabilidad de la infraestructura de IA de próxima generación.

Como parte de esta alianza, Samsung y AMD también trabajarán en el desarrollo de memoria DDR5 de alto rendimiento optimizada para las CPUs AMD EPYC de 6ª generación, con el objetivo de ofrecer soluciones líderes para sistemas basados en la arquitectura AMD Helios.

Adicionalmente, ambas compañías explorarán oportunidades de colaboración en el área de foundry, donde Samsung podría proporcionar servicios de fabricación para productos AMD de próxima generación.

Este acuerdo se suma a una relación de casi dos décadas entre ambas empresas en tecnologías gráficas, móviles y de computación, en la que Samsung ha sido un socio clave en el desarrollo de memorias como HBM3E, utilizadas en aceleradores de IA como los AMD Instinct MI350X y MI355X.

#Samsung #Tecnología #IA #Alianzas #AMD

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